Meanwell Dòng GD2: Bộ điều khiển cổng DC-DC MOSFET IGBT/SiC

Với sự tiến bộ liên tục của công nghệ bán dẫn, các thiết bị IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) và SiC (Silicon Carbide) ngày càng được sử dụng rộng rãi trong nhiều ứng dụng, bao gồm thiết bị đo lường điện tử, nguồn điện, trung tâm dữ liệu, hệ thống năng lượng tái tạo và mạch phân tán. Để đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng này, MEAN WELL đã ra mắt trình điều khiển cổng DC-DC 2W mới được thiết kế riêng cho các ứng dụng bóng bán dẫn IGBT hoặc SiC yêu cầu hai bộ nguồn điện cách ly – Dòng GD2 .

Dòng GD2 có thiết kế dạng mô-đun với kích thước nhỏ gọn, cung cấp khả năng cách ly cao 4,2KVac / 6KVdc và nhiều mẫu điện áp trình điều khiển để lựa chọn. Không giống như các thiết kế truyền thống lấy nguồn điện phụ từ máy biến áp hệ thống bên trong, dòng GD2 cung cấp một số lợi thế chính, chẳng hạn như đơn giản hóa các mạch truyền động ngoại vi trên PCB, cải thiện độ chính xác điện áp, loại bỏ nhu cầu về bộ tản nhiệt bổ sung và tăng cường hiệu suất cách ly. Sự khác biệt chính giữa hai phương pháp truyền động này được trình bày chi tiết trong bảng sau:

• Pin chuẩn quốc tế hàng đơn SIP7
• Làm mát đối lưu tự nhiên -40~+90℃, không cần tản nhiệt bên ngoài
• Độ cách ly cao 4.2KVac / 6KVdc giữa đầu vào và đầu ra
• Bảo vệ: Ngắn mạch (bền vững)
• Đã được chứng nhận an toàn UL/EAC/CE/UKCA
• Kích thước (D x R x C): 19,5 x 9,8 x 12,5 mm
• Bảo hành 3 năm

Dòng GD2

#GD2 #GateDriver #MOSFETDriver #IGBTDriver #SiCDriver #DCDCConverter #PowerElectronics #HighVoltageDriver #SiCMOSFET #IGBTPowerModule #PowerSemiconductor #EnergyConversion #ElectronicComponents

Bộ điều khiển cổng DC-DC MOSFET IGBT/SiC, Driver công suất, Mạch điều khiển công suất, Bộ khuếch đại cổng, Nguồn cấp cho MOSFET/IGBT, Mạch điều khiển SiC, Driver cách ly, Hiệu suất cao, Chuyển mạch nhanh

#Meanwell #GD2 #DC_DC #GateDriver #MOSFET #IGBT #SiC #PowerSupply #MeanwellVietnam #DriverCôngSuất #MạchĐiềuKhiển #ChuyểnMạchNhanh #BộKhuếchĐạiCổng #HiệuSuấtCao #NguồnCáchLy